ABB | 3BHL000390P0104 5SHX1960L0004 | MÔ ĐUN IGCT

Mô tả Sản phẩm: 

Công nghệ IGCT áp dụng hai cấp độ tích hợp: nguyên khối trên wafer và hybrid cho ngoại vi của GCT.
Trong nhiều trường hợp, chống song song điốt có thể được tích hợp nguyên khối. Điều này loại bỏ ngăn xếp diode và liên kết kết nối hiện tại nặng.
Việc tích hợp kiểu này chỉ trở nên không thực tế ở dòng điện cao nhất và GCT và đi-ốt phải tách biệt nhau. Tích hợp lai đạt được sự kết hợp chặt chẽ hơn giữa GCT, bộ truyền động và bộ làm mát . Sức mạnh tổng hợp của cấu trúc cơ học tạo ra lợi thế về kích thước giảm, độ ổn định cao hơn và chi phí thấp hơn. Bộ truyền động rõ ràng cứng đạt được hoạt động tổng thể trơn tru, đồng đều. Mọi phân đoạn của tấm wafer, trong đó đơn vị a3 kA có hơn 2000, “biết” khi nào nó phải chuyển đổi và thực hiện lệnh tương ứng một cách độc lập với các phần khác. Vì tất cả các phân đoạn phản hồi chính xác như nhau nên đạt được hoạt động song song tối ưu và khả năng chuyển đổi thay đổi tỷ lệ thuận với diện tích tấm wafer. Do đó, tương đối đơn giản để phát triển một họ thiết bị GCT được phân loại phù hợp.

Chào mừng bạn đến liên hệ với người quản lý bán hàng: 

Quản lý kinh doanh : John Dương 

Điện thoại di động/WhatsApp: +86 18150117685  

E-mail: sales3@askplc.com  

Ứng dụng trò chuyện : sales3@askplc.com